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窒化デバイス用3"サファイア基板

素材

高純度光学グレードキロプロス単結晶Al2O3

方位

C-軸[0001] ± 0.1°

直径

76.20 ± 0.05 mm

厚さ

330 or 430 ± 30 μm or 25 μm

TTV:

< 10 μm

Bow:

< 10 μm

表面

エピ研摩

裏面

精密研削
光学研摩

平坦度

< 7 μm

表面粗さ(Ra)

< 0.2 nm

オリフラ

22 mm ± 0.8 mm

第一オルフラ位置

A-軸[11-20] ±0.3°
M-軸[10-10] ±0.3°

第二オリフラ

第一オリフラ方向へ90° 逆時計回り

梱包

1枚ずつあるいは25枚をEMPAKカセット


注:その他のウエファー公差、レーザーマークも可能