Светоизлучающий диод (СИД) является полупроводниковым устройством. Когда на СИД подается ток, возникает движение электронов через полупроводниковый материал и некоторые из них переходят в более низкое энергетическое состояние, процесс сопровождается выделением энергии в виде света. Длина волны (и, в результате) цвет света может быть практически любым, для получения разных цветов применяются разные полупроводниковые материалы и процессы производства. Более того, распространение длины волны сравнительно узкое, что обеспечивает чистоту генерируемого света.
Освещение на базе светоизлучающих диодов – новая, перспективная технология, основанная на свойстве слоя люминофора излучать белый свет при облучении его синим светом, идущим от кристалла светодиода. Фактически, белый светоизлучающий диод (СИД) является модификацией синего, при этом здесь принцип работы люминофора близок к люминесцентным лампам, в которых люминофор облучается ультрафиолетом. Но СИДы являются твердотельными источниками света (solid state light sources), и не содержат внутри себя газа, не имеют спиралей накала и стеклянной колбы, как люминесцентные и газоразрядные лампы. Этим объясняется их высокая прочность, безопасность, надежность и долговечность.
Современные полупроводниковые системы освещения на базе светоизлучающих диодов уже обладают лучшими характеристиками по потребляемой мощности, светоотдаче и ресурсу работы по сравнению с традиционными лампами накаливания и люминесцентными лампами. Кроме того, они не содержат ртути и свинца, что не создает проблем с их последующей утилизацией.
СИД широко используются в в панелях телевизоров высокой четкости, дисплеях ПК, в дорожных знаках и табло, в экранах мобильных телефонов; развитие получает использование СИД в энергосберегающих системах общего освещения, т.к. позволяет экономит около 30% затрачиваемой электроэнергии.
В настоящее время три четверти выпускаемых в мире светоизлучающих диодов производится с использованием сапфира. «Монокристалл» поставляет пластины сапфира диаметром 2" – 8" для производства СИД по спецификациям заказчика.
Постоянно работая над совершенствованием технологий роста сапфира, повышением эффективности и качества его обработки и эпитаксии, разрабатывая новые пасты и технологии их производства, мы стремимся удовлетворить самым взыскательным требованиям, предъявляемым сегодня мировым рынком.
Самое пристальное внимание мы уделяем контролю качества. Нами разработаны и используются оригинальные современные системы бесконтактного контроля геометрических параметров, позволяющие в автоматическом режиме предоставить протоколы измерений по каждой партии изделий, проходящих операцию контроля.
Используемая нами система отслеживания каждого изделия по его индивидуальному номеру, нанесенному с помощью лазерной маркировки, позволяет осуществлять контроль качества нашей продукции на более высоком уровне и гарантирует нашу полную ответственность перед заказчиком.
Мы обладаем уникальной технологией выращивания монокристаллического сапфира методом Киропулоса. Первоначально разработанная в Санкт-Петербургском государственном институте оптики технология существенно усовершенствована нашими специалистами, она позволяет выращивать кристаллы сапфира с содержанием чистого оксида алюминия на уровне не менее 99,997%.
В 2007 году нами была разработана технология изготовления пластин сапфира диаметром 8”, технология серийного производства успешно отработана во второй половине 2008 г.
