|
14/10/08
С 15 октября по 1 ноября 2008 г. ЗАО "Монокристалл" проводит тендер по выбору организации для оказания услуг по допуску к торговой системе оптового рынка электроэнергии и мощности. Информацию о проведении тендера можно получить по телефону: +7 (8652) 56-30-15, 95-64-76.
27/08/08
Российская компания «Монокристалл» первой вывела на мировой рынок сверхбольшие пластины из сапфира для производства светоизлучающих диодов, благодаря своим технологиям выращивания больших кристаллов сапфира весом свыше 65 кг.
Подробнее...
Фото
06/06/08 - Участие в выставке Euro Led 2008
Компания "Монокристалл" приняла участие в выставке Euro Led 2008, которая состоялась 4-5 Июня 2008г.
Евро ЛЕД 2008 - 5я ежегодная выставка и конференция, посвященная науке, технологии и вопросам применения высокоярких СИД и общего освещения. Место проведения выставки – Бирмингем.
09/05/08 – Выставка Blue 2008
C 7 по 8 мая специалисты компании Монокристалл приняли участие в Международной конференции Blue 2008, которая проходила в г. Синчжу, Тайвань в качестве сапфирового спонсора.
Директор по продажам и маркетингу Качалов О.В. выступил с докладом, в котором были изложены основные вопросы использования пластин сапфира большого диаметра в производстве светоизлучающих диодов.
31/03/08
Концерн «Энергомера» объявляет о завершении сделки по приобретению 100% акций ОАО ПКФ «Атлас».
Подробнее...
21/03/08
Приобретение ПКФ «Атлас» вывело Концерн «Энергомера» в лидеры мирового рынка производителей синтетического сапфира для высокотехнологичных применений.
Подробнее...
08/10/07 - Участие в выставке SEMI Europe 2007
Компания "Монокристалл" участвует в выставке SEMI Europe 2007, которая состоится 9-11 Октября 2007г. Место проведения выставки – Штутгарт.
23/09/07
17-21 сентября специалисты ЗЭМ Монокристалл (филиал ОАО «Концерн Энергомера») Еськов Э.В. и Маршанин Д.А. приняли участие в международной конференции «Кристаллические материалы 2007», проходившей во ВНИИ Монокристаллов (г. Харьков, Украина)
Маршанин Д.А. выступил с докладом «Проблемы выращивания больших монокристаллов лейкосапфира» группы авторов: Постолов В.С., Еськов Э.В., Николенко М.В., Сабельникова М.М., Маршанин Д.А.
В докладе изложены результаты применения новых подходов (в том числе с моделированием процесса) к совершенствованию технологии роста и применяемого ростового оборудования.
22/09/07 – Участие в конференции ICNS-7
Монокристалл рад сообщить о своем участии в конференции ICNS-7 (7-th International Conference on Nitride Semiconductors), которая проходила 16-21 сентября 2007 г. в г. Лас-Вегас, США.
В этом году конференция привлекла рекордное количество посетителей – более 930 ученых, студентов и представителей компаний, вовлеченных в полупроводниковый бизнес, по сравнению с 700 посетителями предыдущей конференции ICNS-6.
За несколько лет конференция стала значимым событием мирового уровня, нацеленным на обсуждение результатов новейших научных исследований, обмен информацией, которую участники и посетители конференции смогут использовать для развития своего бизнеса и технологий.
В рамках конференции были освещены все аспекты технологии нитридных полупроводников группы III с особым акцентом на эпитаксиальный рост (MBE, MOVPE, HVPE и т.д.), выращивание объемных кристаллов, теорию, характеристику материалов (III-V-N, InN и т.д.), дефектную инженерию, структурный анализ, оптическую характеристику, наноструктуры, приборы (СИД, лазерные диоды, транзисторы, датчики).
Монокристалл, который уже во второй раз принимает участие в данной конференции, представил широкий ряд своей продукции для эпитаксиального наращивания нитридных слоев, включая 6” эпи-полированные пластины ориентации С.
15/05/07 – Участие в выставке
Принято решение об участии в выставке LED Expo 2007, которая состоится 17-20 Мая 2007 года. Приглашаем посетить наш выставочный стенд!
21/04/07 - Платиновые Спонсоры
Мы рады сообщить Вам, что на предстоящей в апреле конференции BLUE 2007 - Advanced LEDs & Lasers компания Монокристалл будет выступать в качестве платинового спонсора. Конференция BLUE 2007 будет проходить 17-20 апреля 2007. Приглашаем посетить наш стенд!
ОБОРУДОВАНИЕ НА ПРОДАЖУ >>>
26/01/07 - Участие в выставке Photonics West 2007 (Сан-Хосе)
Компания Монокристалл приняла участие в выставке Photonics West 2007 (Сан-Хосе), которая проходила с 23.01.2007 по 25.01.2007 в Сан-Хосе, Калифорния, США.
 27/09/06 - VI МЕЖДУНАРОДНАЯ
НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ
«ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА И СОВРЕМЕННЫЕ МИКРО- И НАНОТЕХНОЛОГИИ»
«Монокристалл» принял участие в VI МЕЖДУНАРОДНОЙ
НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ
«ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА И СОВРЕМЕННЫЕ МИКРО- И НАНОТЕХНОЛОГИИ» которая проходила 17-22 сентября 2006 г. в городе Кисловодске.
Основной тематикой данной конференции является:
• Химия твердого тела, новые материалы.
• Физика низкоразмерных систем (квантово-размерные гетероструктуры и наноструктуры).
• Нанотехнология.
• Новые широкозонные полупроводники (SiC, AIN, GaN): технология, свойства, применение.
• Монокристаллы. Технология выращивания. Свойства.
Наша компания представила следующие доклады:
1. Качалов О.В., Пеньков С.В. Новые требования к подложке сапфира для изготовления светоизлучающих диодов на основе нитрида галлия.
2. Еськов Э.В., Сзбельникова М.М., Игнатов А.Ю. Оптический сапфир, технические требования и технология выращивания кристаллов.
3. Игнатов А.Ю., Еськов Э.В., Купцов В.Ф., Николенко М.В. Сапфир для электронного применения. Особенности технологии кристаллов.
4. Еськов Э.В., Игнатов А.Ю. Сабельникова М.М. Влияние примесей в кристаллах сапфира на оптическую прозрачность и наведенное поглощение.
5. Постолов B.C., Еськов Э.В., Велик А.С., Рубцова С.П. Влияние глобального теплообмена на совершенство кристаллов в методе Киропулоса. Моделирование и эксперимент.
6. Николенко М.В., Еськов Э.Д., Игнатов А.Ю., Гринько В.В. Влияние структурного совершенства затравочного материала на качество кристаллов сапфира, выращенного методом Киропулоса.
7. Игнатов А.Ю., Постолов B.C., Филимонов А.С. Влияние технологических факторов процесса эпитаксии на физические свойства границы раздела кремний-сапфир.
8. Игнатов А.Ю., Постолов B.C., Сабельникова М.М. Оптические методы контроля параметров гетероэпитаксиального слоя кремния структур КНС.
9. Сошникова О.В., Игнатов А.Ю., Павлов В.Ф., Литвинов Ю.М. Применение рентгеновских методов для оценки нарушенных слоев на пластинах сапфира.
10. Сошникова О.В., Постолов B.C., Филимонов А.С. Опыт применения связного алмазно-абразивного инструмента для двусторонней обработки пластин сапфира больших диаметров.
11. Николенко М.В., Еськов Э.В., Игнатов А.Ю. Газовые включения в монокристаллах сапфира, выращенных методом Киропулоса.
 30/05/06 - Ежегодный форум поставщиков индустрии освещения 2006
«Монокристалл» принял участие в крупнейшем ежегодном форуме поставщиков индустрии освещения Solid State Lighting Suppliers Forum (SSLS), проводившемся 9-11 мая 2006г. в г. Хсинчу (Тайвань). Основной целью данного форума является содействие развитию и внедрению светодиодов на рынке полупроводниковых технологий.
В конференции приняли участие компании, являющиеся поставщиками рынка светодиодного освещения от лидирующих производителей и разработчиков до компаний, занимающихся сборкой и корпусированием осветительных приборов.
«Монокристалл» выступил в качестве платинового спонсора проекта.
Нашей компанией был представлен доклад об усовершенствовании технологии производства сапфировых подложек и, как следствие, улучшенном качестве производимой на предприятии продукции. В докладе были освещены следующие вопросы:
• Увеличение диаметра пластин
• Достижение более высокой яркости и однородности слоя GaN
• Повышение требований к качеству поверхности пластин
10/02/2006 - Пресс-релиз
В «Японском журнале прикладной физики» опубликована статья «Характеристика планарных семиполярных слоев нитрида галлия на сапфировых подложках» под авторством Троя Дж. Бэйкера1,3, Бенджамена А. Хэскелла1,3, Фенга Ву1,3, Джеймса С. Спека1,3 и Шуджи Накамуры1,2,3 (изд. 45, N6, 2006 стр. L154-L157).
1 Кафедра Материалов, Университет Калифорнии, Санта Барбара, шт. Калифорния 93106, США
2 Кафедра эл. инженерии, Университет Калифорнии, Санта Барбара, шт. Калифорния 93106, США
3 NICP/ERATO JST, UCSB Group, Университет Калифорнии, Санта Барбара, США, шт. Калифорния, 93106
Статья фокусируется на изучении характеристик планарных семиполярных слоев нитрида галлия, выращенных путем эпитаксии из паровой фазы. Слои GaN наращивались на сапфировых подложках ориентации М ряда производителей, в том числе Монокристалла.
Данное исследование является существенным шагом в развитии направления по использованию слоев GaN в качестве темплетов для устройств на основе GaN, которые, возможно, со временем по своим характеристикам превзойдут традиционные устройства на подложках ориентации С, особенно в плане эффективности оптоэлектронных устройств, в т.ч. лазерных диодов.
Скачать
статью (PDF, англ.яз.) полностью
 19/09/2005 - Участие в Шестой международной конференции по нитридным полупроводникам
Мы рады сообщить вам о том, что компания Монокристалл приняла участие в Шестой международной конференции по нитридным полупроводникам, которая проходила с 29 августа по 3 сентября в конгресс центре г. Бремен (Германия). Конференция проводится … Подробнее...
 12/07/2005 – Участие в выставке InterOpto 2005
Компания Монокристалл сообщает об участии в выставке InterOpto 2005, которая состоится 13-15 Июля в Международном Выставочном Центре, центр переговоров «Ниппон», 2-1 Накасе, Михама-ку, Чиба-ши, Чиба 261-0023, Япония.
Наш выставочный стенд - N124
 26/04/2005 - Награждение памятной медалью национальной премии в области предпринимательской деятельности «Золотой Меркурий».
В апреле 2005 года в Центре Международной Торговли в г. Москве состоялась торжественная Церемония награждения лауреатов Национальной премии в области предпринимательской деятельности «Золотой Меркурий»...
Подробнее...
12/04/2005 - Платиновые СпонсорыМы рады сообщить Вам, что на предстоящей в мае конференции BLUE 2005 - Advanced LEDs & Lasers компания Монокристалл будет выступать в качестве платинового спонсора. Конференция BLUE 2005 будет проходить 16-18 мая 2005 в г.Хсинчу, Тайвань, отель Ambassador. Приглашаем посетить наш стенд!
06/04/2005 – Уникальная технология химико-механической полировки
Во втором полугодии 2004 года специалистами ОАО ЗСК «Монокристалл» была разработана уникальная технология химико-механической полировки, позволяющая производить... Подробнее...
24/11/2004 - ILOPE 2005
Принято решение об участии в выставке ILOPE 2005, которая состоится 15-17 Марта 2005 года в Пекине. Приглашаем посетить наш выставочный стенд N 2В23.
15/09/2004 - Изменения в руководстве компании
Аркадий Семенович Филимонов назначен генеральным директором ОАО «Завод
синтетических корундов «Монокристалл». А.С. Филимонов сменил на посту
Владимира Ивановича Полякова, который... >>
11/08/2004 - SEMI Expo CIS 2004
ОАО ЗСК "Монокристалл" участвует в выставке SEMI Expo CIS 2004, которая состоится 27-30 Сентября 2004г. Место проведения выставки - Москва, Российская федерация. Подробнее...
28/07/2004 - Проведение тендера
27 августа 2004г и 10 сентября 2004г
ОАО ЗСК «Монокристалл» провел открытый 2-х этапный конкурс по поставке оборудования, выполнению работ и оказанию услуг для проектируемой тепловой электростанции общей мощностью 6 МВт на базе трех газопоршневых установок.
Май, 2004 - Трубки сапфира
Мы рады предложить вашему вниманию новый продукт - трубки сапфира.
Май, 2004 - Награждение дипломом
Диплом победителя регионального конкурса Торгово-промышленной палаты Российской Федерации "Золотой Меркурий" присужден ОАО ЗСК "Монокристалл" в номинации "Лучшее предприятие в области международного инновационного сотрудничества".
05/04/2004 - Платиновые спонсоры
На предстоящем в мае семинаре Blue 2004 - Advanced LEDs & Lasers Монокристалл выступает в роли платинового спонсора. Подробнее..
30/05/2003 - Сертификат ISO подтвержден 28-29 мая 2003 года по результатам аудита, проведенного европейской организацией по сертификации RWTUV, ОАО ЗСК Монокристалл подтвердил Сертификат ISO 9001:2000, выданный в 2002 году.
20/05/2003 - Новое оборудование В мае 2003 года приобретен спектрофотометр Фурье для измерения и контроля толщины структур КНС. Это оборудование позволяет измерять толщину структур КНС до 0,3 микрон включительно.
18/05/2003 - Киропулос вместо EFG
В мае демонтированы установки по выращиванию сапфира методом Степанова. Их место займет новый парк установок "Омега". Данное решение явилось результатом перепозиционирования компании в качестве серийного производителя изделий для оптоэлектронной промышленности. Метод EFG не позволяет обеспечивать достаточно высокое качество материала сапфира, который чаще используется для конструкционного применения.
30/03/2003 - Новости рынка оптоэлектроники
Согласно последнему отчету компании Strategies Unlimited, мировой рынок высоко-ярких светодиодов в 2002 г. вырос на 50% и составил $1.8 млрд.
27/03/2003 - Цех резки
К концу первого полугодия на линию резки 3'' пластин ориентации С
(0001) будет внедрено еще два новых станка проволочной резки фирмы
Такотори. Одновременно
будет запущено оборудование для бесконтактного контроля геометрических
параметров пластин марки Tropel, которое было оплачено из очередного
транша
Сберегательного Банка РФ в размере 1 млн. долларов США.
25/03/2003 - Цех выращивания
Принято решение о строительстве нового цеха выращивания. К концу
первого полугодия будет запущено 7 новых установок выращивания методом
Киропулоса, а до конца года - еще 14. Это позволит увеличить объемы
производства 2'' стержней ориентации С(0001) на 38 000 мм в месяц .
28/02/2003 - Итоги Февраля
Согласно финансовым отчетам по результатам Февраля объем продаж увеличился на 17% по сравнению с предыдущим месяцем.
12/01/2003 - Новый технологический процесс
Мы рады сообщить нашим клиентам, что в конце 2002 года на нашем предприятии разработан и внедрен новый технологический процесс резки кристаллов на пластины на станке проволочной резки. Эта технология позволяет улучшить геометрические параметры пластин "после резки" (as-cut) и является ответом на возросшие потребности клиентов. Скорость резки при использовании нового технологического процесса возрастает в 1,5 раза.
Декабрь 2002 - Инвестиции
В рамках достигнутого со Сберегательным банком РФ соглашения об инвестировании ЗСК Монокристал в объеме 10 млн. долларов на закупку оборудования и увеличение объемов производства получен первый миллион долларов инвестиционного кредита. Очередной транш предполагается получить в феврале текущего года. Весь объем инвестиций будет освоен в течении 2 лет.
|
