Завод электронных материалов «Монокристалл» филиал ОАО «Концерн ЭНЕРГОМЕРА»
ЗЭМ Монокристалл 3 inches epi-ready substrates for nitrides Products from stock ISO certified: more information
Русский English version 中文 日本語 한국어

»Пластины
»Оптические изделия
»Структуры КНС
»Свойства сапфира
»Характеристики сапфира
»Пасты серебросодержащие
»Пасты серебро-алюминиевые
»Пасты алюминиевые


О КОМПАНИИ|НОВОСТИ|ПРОДУКЦИЯ|МЕНЕДЖМЕНТ|КОНТАКТЫ
Характеристики сапфира

Общие

Химическая формула:

Al203

Метод выращивания:

Киропулоса, Степанова (EFG)

Структура:

гексагональная
a = b = 4,77 A
c = 13,04 A

Тепловые

Температура плавления:

2040 °C

Коэффициент линейного расширения:

6,7 x 10-6 / °C параллельно оси С
5,0 x 10-6 / °C перпендикулярно оси С

Теплопроводимость:

46,06 W/м °K (0°C)

Механические

Плотность:

3,98 г/см3

Твердость:

Mohs

9

Knoop

daN/mm2

1800 параллельно оси С

daN/mm2

2200 перпендикулярно оси С

Предел прочности на разрыв:

MPa2

400 (25°C)
275 (500°C)
345 (1000°C)

Прочность на изгиб:

daN/mm2

35 до 39

Напряжение при сжатии:

GPa

2,0

Модуль упругости Юнга

daN/mm2

3,6 x 104 to 4,4 x 104

Электрические

Диэлектрическая проницаемость:

11,5 (103 - 109 Гц, 25°C)
параллельно оси С
9,3 (103 - 109 Гц, 25°C)
перпендикулярно оси С

Удельное сопротивление:

1016 Ом - см (25°C)
1011 Ом - см (500°C)
106 Ом - см (1000°C)